AT24Cxx EEPROM 存储模块 — 技术文档

1. 概述

AT24Cxx 系列是基于 I²C 总线的串行 EEPROM 存储芯片，由 Microchip（原Atmel）出品。模块板载上拉电阻和去耦电容，即插即用。容量从 2Kbit (256字节) 到 256Kbit (32K字节) 可选，非常适合存储配置参数、校准数据、设备ID等非易失性小数据。

主要优势

• I²C 总线，仅需两根信号线，可多器件共享
• 支持 1.8V ~ 5.5V 宽电压，兼容 3.3V 和 5V 系统
• 高达 100 万次擦写寿命，100 年数据保持
• 页写模式提升写入效率

2. 引脚定义

引脚	丝印	功能
1	VCC	电源正，1.8V ~ 5.5V
2	GND	电源地
3	SCL	I²C 时钟线（需接MCU SCL）
4	SDA	I²C 数据线（需接MCU SDA）
5	WP	写保护（接GND=可写，接VCC=只读，模块通常默认接GND或悬空）
6	A0	地址选择位0（焊盘跳线配置）
7	A1	地址选择位1
8	A2	地址选择位2

3. I²C 地址说明

AT24Cxx 的 7 位 I²C 地址构成为 1010 A2 A1 A0（高位在前）。

A2	A1	A0	7位地址	8位写地址
0	0	0	0x50	0xA0
0	0	1	0x51	0xA2
0	1	0	0x52	0xA4
...	...	...	...	...
1	1	1	0x57	0xAE

注意：AT24C01/02 的 A0/A1/A2 全部有效；AT24C04 的 A0 被页选择占用；AT24C08 的 A0/A1 被占用；AT24C16 的 A0/A1/A2 全部被占用（只能挂一个）；AT24C32/64/256 的 A0/A1/A2 全部有效。

4. 电气特性

参数	最小值	典型值	最大值	单位
工作电压 VCC	1.8	3.3/5.0	5.5	V
I²C 时钟频率	-	100	400	kHz
待机电流	-	1	3	μA
写入电流	-	1	3	mA
写周期时间	-	5	10	ms
擦写次数	1,000,000	-	-	次
数据保持	100	-	-	年

5. 典型应用电路

    MCU (3.3V/5V)           AT24Cxx 模块
  ┌──────────────┐       ┌──────────────┐
  │              │       │   VCC ─────── 3.3V/5V
  │  SCL ────────┼───────┤   SCL        │
  │  SDA ────────┼───────┤   SDA        │
  │              │       │   GND ─────── GND
  │      ┌───4.7kΩ──VCC │   WP  ─────── GND (可写)
  │      │        │       │              │
  │  ────┼────────┤       │   A0/A1/A2 ── GND (地址0x50)
  │      │        │       └──────────────┘
  │  ────┴──4.7kΩ─┘
  └──────────────┘
  （模块板载上拉电阻，外部通常无需再接）

6. 使用注意事项

1. 写周期等待：EEPROM 写入后需等待 5~10ms（内部擦写周期），不可连续写入。I²C 协议可通过轮询 ACK 检测写完成
2. 页边界：页写不能跨页边界。例如 AT24C02 页大小 8 字节，写地址 0x06 时最多写 2 字节就要停止
3. WP 引脚：模块默认 WP 接 GND 允许写入；若需硬件写保护，将 WP 接 VCC
4. 总线上拉：模块板载 4.7kΩ 上拉，短距离通信无需外加；若总线设备多或线缆长，可并联更小阻值
5. 地址冲突：同一 I²C 总线上挂多个 AT24Cxx 模块时，确保 A0/A1/A2 地址唯一
6. 型号选择：小容量建议 AT24C02/04；中等需求选 AT24C64 (8K字节)；大容量选 AT24C256 (32K字节)